而z国的光刻机至今没有赶上国外最先进水平，一方面是市场份额被人牢牢把控；其次走相同的技术路线，会不可避免地会侵犯到asml的知识产权，引专利官司。
再加上一些关键设备的禁售。
国产的光刻机展始终不温不火。
即便如此，为了绕开国外的专利壁垒，z科院光电所另辟蹊径，研制了一款全新的光刻机——
分辨纳米光刻机。
这种光刻机采用了与传统光刻设备完全不同的技术路线，用365纳米近紫外光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造1o~9纳米级别的芯片。
而这款光刻设备，使用的是波长更长、更普通的紫外光，在普通环境下便能完成光刻，意味着国产光刻机使用低成本光源，实现了更高分辨力的光刻。
制造成本只有asml公司光刻机的几分之一，乃至十几分之一。
技术原理层面的突破，更是相当于别人在开山修路的时候，你打通了一条隧道。
不过分辨纳米光刻机虽好，却也存在一个较为严重的缺陷。
那就是曝光时间过长。
尤其实在芯片领域，euv光刻机曝光15秒便能完成的任务，分辨光刻机需要十多天。
更加形象的比喻是，传统光刻机是直接拍出一张照片，分辨光刻则是拿一支笔，慢慢画出一张图片……效率差别巨大。
……
商海微电子公司。