来到这家公司调研的陈今，看到面前的这台22纳米分辨光刻机，听了该公司的老总张昱明的介绍后。
“你说这么好的设备，不能用于芯片的制造，为什么不能？”
陈今皱着眉头，这太可惜了吧。
“不是不能，而是太慢！我们想了各种办法提高它的曝光效率，但曝光一张影刻，依然需要五天的时间，效率是传统光刻几万分之一，这完全抵消了我们的成本优势，只适合给一些较小规模的市场，比如军用芯片、光学器件、高精密光栅、光子晶体阵列等等，这些领域我们的分辨光刻机卖了好几十台。”
“但大规模的芯片制造，只能老老实实地展传统光刻。”
张昱明摇着头道。
目前商微电子的1onm光刻机，走的就是193nm光源浸没式光刻路线，但制造成本太高，没有市场竞争力，又面临着asml的专利壁垒，故而没有推向市场。
euv光刻方面，商微电子与国内很多机构合作，取得了一定的突破，但也面临专利方面的问题。
很多高精尖设备，不是说z国人打破不了垄断，而是专利壁垒挡在了那里。
“你们有没有办法加快它的曝光效率，赶上传统光刻机呢？”
陈今问道，他觉得分辨光刻这条路线，真的可以继续走下去，应用于大规模芯片制造。
“办法有！但实现太难了，以现有的技术，几乎不可能实现。”
“你先说说你的办法。”
“增加‘笔’的数量，就是把光刻镜头做小！在手指头大小的光刻镜头内，集成1万个微型镜头，让这些微型镜头同时参与工作，完成集成电路的影刻。”
张昱明摇着头，见陈今听得一脸认真，不得不继续道：“芯片内部的结构并不是非常复杂，每个die都是一样的构造，每个晶体管也是相同的，一万个微型镜头，同步完成一样的工作，可大大加快分辨光刻的效率。”